フォトマスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-053588
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。【解決手段】露光光に対して遮光性を有する半遮光部101と、半遮光部101により囲まれ且つ露光光に対して透光性を有する透光部102と、透光部102の周辺に位置する補助パターン(位相シフター)103とが透過性基板100上に設けられている。半遮光部101と透光部102とは露光光を互いに同位相で透過させる。補助パターンである位相シフター103は、半遮光部101及び透光部102を基準として露光光を反対位相で透過させると共に、露光により転写されない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

露光光に対して遮光性を有する半遮光部と、前記半遮光部により囲まれ且つ前記露光光に対して透光性を有する第1の透光部と、前記半遮光部により囲まれ且つ前記第1の透光部の周辺に前記半遮光部を挟んで設けられている補助パターンと、前記半遮光部により囲まれ且つ前記露光光に対して透光性を有する第2の透光部とを透過性基板上に備え、前記補助パターンは、前記第1の透光部と前記第2の透光部とによって挟まれた領域に位置する第1の補助パターンと、前記領域以外の他の領域に位置する第2の補助パターンとを含み、前記半遮光部、前記第1の透光部及び前記第2の透光部は前記露光光を互いに同位相で透過させ、前記補助パターンは、前記半遮光部、前記第1の透光部及び前記第2の透光部を基準として前記露光光を反対位相で透過させ、且つ露光により転写されないことを特徴とするフォトマスク。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 A

Fターム (5件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BC09 , 2H095BC28

引用特許：

出願人引用 (1件)

フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-330998 出願人：日本電気株式会社

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