特許

J-GLOBAL ID：200903077931970915

半導体装置

発明者： 黒田 吉己
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274197
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116111
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】低抵抗電極を有する半導体装置では高温熱処理に弱く、高温熱処理に強い半導体装置では電極の抵抗が大きいこと。【解決手段】基板1、低抵抗金属または低抵抗金属を含有した合金からなる第二電極22、導電性酸化物からなる第一電極21、強誘電体薄膜3、導電性酸化物からなる第一電極41、低抵抗金属または低抵抗金属を含有した合金からなる第二電極42の順に積層された半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方の電極が、前記強誘電体薄膜と接し前記強誘電体薄膜の熱処理温度において反応しない第一電極と、比抵抗1.0〜3.0μΩcmの低抵抗金属もしくはこの低抵抗金属を含有した合金からなる第二電極とで構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C