成膜方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 森友宏 , 廣澤哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-340085
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149824
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等の凹部にあっても、銅等の金属材料を、内部にボイドを発生させることなく、凹部内に高速かつ確実に埋込むことができるようにする。【解決手段】凹部202を有し該凹部202の内部を含む表面に通電層206を形成した基板Wを用意し、凹部202の内部を除く通電層206の表面に電着法で高分子絶縁膜208を形成し、高分子絶縁膜208を形成した基板Wの表面に電解めっきを行って凹部202内に金属材料210を埋込む。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

凹部を有し該凹部の内部を含む表面に通電層を形成した基板を用意し、前記凹部の内部を除く前記通電層の表面に電着法で高分子絶縁膜を形成し、前記高分子絶縁膜を形成した基板の表面に電解めっきを行って前記凹部内に金属材料を埋込むことを特徴とする成膜方法。

IPC (7件)：

H01L 21/288 , H01L 21/320 , C25D 7/12 , C25D 5/54 , C25D 13/06 , C25D 19/00 , C23C 28/00

FI (7件)：

H01L21/288 E , H01L21/88 B , C25D7/12 , C25D5/54 , C25D13/06 C , C25D19/00 Z , C23C28/00 A

Fターム (53件)：

4K024AA09 , 4K024AA10 , 4K024AA14 , 4K024AB02 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CB14 , 4K024DA04 , 4K024DB01 , 4K024FA02 , 4K024GA16 , 4K044AA13 , 4K044AB08 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BA21 , 4K044BB03 , 4K044BB04 , 4K044BB10 , 4K044BC14 , 4K044CA12 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA15 , 4K044CA18 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104DD52 , 4M104HH13 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033MM05 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ72 , 5F033RR04 , 5F033SS07 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033XX02 , 5F033XX04

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