特許
J-GLOBAL ID：200903077940927020
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267415
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109715
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【構成】素子を形成した半導体基板21にBPSG23を形成し、コタクトホール29及び溝28を形成する。次に、Al-Si-Cu24をスパッタにより全面に被着する。そして、通常のリソグラフィ及びエッチングを用いてAl-Si-Cu24を溝部コンタクトホール内に選択的に殊余せしめこれをリフローさせ、溝部及びコンタクトホールを埋め込み配線を形成する。【効果】コンタクトホール及び溝に導電膜を埋め込む為、コンタクト側壁部での断線を懸念する必要はない。また、配線を層間絶縁膜に掘った溝に埋め込んで形成する為、絶縁膜との段差のない配線が形成できる。それゆえ、複雑な工程を用いることなく、しかも工程コストが軽減し歩留りも向上する。
請求項（抜粋）：
素子の作り込まれた半導体基板上に、絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に所望の配線パターンの溝及びコンタクトホールを開孔する工程と、全面に配線材料を被着する工程と、前記コンタクトホール及び溝部内に残余せしめるように選択的に前記配線材料を除去する工程と、前記コンタクトホール及び溝部の前記配線材料をリフローにより前記コンタクトホール及び溝に埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
