特許
J-GLOBAL ID:200903077944824233

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-226807
公開番号(公開出願番号):特開平8-097217
出願日: 1994年09月21日
公開日(公表日): 1996年04月12日
要約:
【要約】【目的】 パッケージ自体のサイズの増大を抑制し、放熱性等を改善した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【構成】 複数の電極パッドを持つ半導体チップ上に、所望のパターンで電極パッドに接続した金属配線が形成され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金属配線上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続されて構成される半導体装置。
請求項(抜粋):
複数の電極パッドを有する半導体チップ上に、所望のパターンで電極パッドと接続する金属配線が形成され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金属配線上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続されて構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4件):
H01L 21/92 603 G ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 27/04 E

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