特許
J-GLOBAL ID：200903077947326889
GaN系半導体層のエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055028
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256226
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成されたGaN系半導体層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 このエッチング方法は、基板1の上にバッファ層5を介して形成されている導電性のGaN系半導体層6をエッチングする際に、基板上におけるエッチング予定個所に金属層3を形成し、前記金属層3を含めた基板の表面にバッファ層5と導電性のGaN系半導体層6をこの順序で形成し、エッチングしない領域6Bに保護膜7を形成し、ついで、アルカリ電解液中で、金属板9に接続された前記導電性のGaN系半導体層6を陽極にして電解侵蝕処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して形成されている導電性のGaN系半導体層をエッチングする際に、基板上におけるエッチング予定個所に金属層を形成し、前記金属層を含めた基板の表面にバッファ層と導電性のGaN系半導体層をこの順序で形成し、ついで、アルカリ電解液中で、前記導電性のGaN系半導体層を陽極にして電解侵食処理を行うことを特徴とするGaN系半導体層のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 L
, C25F 3/12
