特許
J-GLOBAL ID：200903077948708785
光導波路と半導体受光素子の接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112770
公開番号（公開出願番号）：特開平7-318765
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 光導波路と半導体受光素子のハイブリッド集積を可能にする光導波路と半導体受光素子の接続構造に関し、光導波路と半導体受光素子の位置合わせを高精度に行わなくても、容易に高い光結合効率を得るようにする。【構成】 基板上の一部にクラッド層のない光導波路領域を形成し、この領域のコア層の表面にコア層より大きな光屈折率を有する半導体受光素子の表面を接触させた構造とする。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともコア層とクラッド層を順に積層して形成された光導波路と半導体受光素子の接続構造において、前記基板上の一部に前記クラッド層のない光導波路領域を形成し、この領域のコア層の表面にコア層より大きな光屈折率を有する半導体受光素子の表面を接触させ、前記光導波路と前記半導体受光素子とを光学的に結合させた構造であることを特徴とする光導波路と半導体受光素子の接続構造。
IPC (2件)：
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