特許

J-GLOBAL ID：200903077951817919

半導体装置

発明者： 生駒 俊明 ,  谷口 光弘
出願人/特許権者： 日本鉱業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013448
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、表面保護膜と化合物半導体との界面特性を安定化させて高信頼性を得るとともに製造時の歩留りを高めることを目的とする。【構成】 化合物半導体3の表面に形成された複数の電極4,5,6と、複数の電極4,5,6間における化合物半導体3の表面に形成されたシリコン層7と、シリコン層7上に形成された絶縁膜8とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体と、該化合物半導体の表面に形成された複数の電極と、該複数の電極間における前記化合物半導体の表面に形成されたシリコン層と、該シリコン層上に形成された絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 29/48 ,  H01L 29/76 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 23/30 D ,  H01L 29/78 301 B