特許
J-GLOBAL ID：200903077956237139
導電性中空体の内部表面へのイオン注入法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原崎 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050251
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【課題】 注入が困難であった中空体の内部表面に垂直にイオンを注入させて、中空体の内部表面の表層改質を図ることにある。【解決手段】 導電性の中空体2の内部をプラズマ雰囲気にし、接地電位に対してマイナスの電圧をかけて中空体2をマイナスの電位状態にして、プラズマ雰囲気のイオンを中空体2の内部表面2aに注入させる。
請求項（抜粋）：
導電性の中空体の内部をプラズマ雰囲気にし、接地電位に対してマイナスの電圧をかけて中空体をマイナスの電位状態にして、プラズマ雰囲気のイオンを中空体の内部表面に注入させることを特徴とする導電性中空体の内部表面へのイオン注入法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/48 Z
, H05H 1/46 A
