特許

J-GLOBAL ID：200903077958995294

高耐圧半導体装置及びその製造方法

発明者： 野辺 武 ,  秋山 茂夫 ,  古本 憲輝 ,  砂田 卓也
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015584
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 耐圧保持構造の占有面積が小さく、信頼性の向上が図れる高耐圧半導体装置の構造、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】 一方の面が半導体基板の第1主表面となる半導体基板302と、その半導体基板302の下部に形成された、一方の面が半導体基板の第2主表面となる半導体基板304とを備え、第1主表面301側に能動領域が形成されている高耐圧半導体装置で、能動領域の外側に酸化膜307と多結晶シリコン膜308とによって被覆されたV溝309が、第1主表面301から半導体基板304に達するように形成されている。

請求項（抜粋）：

一方の面が半導体基板の第1主表面となる、比較的低濃度の第1の第1導電型半導体基板と、その第1導電型半導体基板の下部に形成された、一方の面が半導体基板の第2主表面となる、比較的高濃度の第2の第1導電型半導体基板とを備え、前記第1主表面側に能動領域が形成されている高耐圧半導体装置において、前記能動領域の外側に酸化膜と多結晶シリコン膜とによって被覆されたV溝が、前記第1主表面から、前記第2の第1導電型半導体基板の領域にまで達するように形成されていることを特徴とする高耐圧半導体装置。

Fターム (4件)：

5F032AA40 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032CA24