特許

J-GLOBAL ID：200903077961078235

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐々木 正義
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156887
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022989
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗で且つゲート酸化膜耐圧の劣化を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ポリシリコン膜13及びソース・ドレイン拡散層15上にTiCo合金膜16を形成し、アニールを行ってTiCoSix合金層17を形成する。その後、未反応のTiCo合金膜16を除去する。これにより、低抵抗で低ストレスなシリサイド層が形成でき、ゲート酸化膜12の耐圧の劣化を防止することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基体表面または多結晶シリコン表面上に、複数の金属により構成されたシリコン合金層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G