特許

J-GLOBAL ID：200903077967864410

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 穴山 親志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077585
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP系等の化合物半導体を用いた横モード制御型可視光半導体レーザ装置に関し、半導体基板の成長装置への出し入れ回数を減らすことによって、半導体基板の表面に付着する塵埃による歩留りの低下を防ぐ。【構成】 凸ストライプ状に形成された上側p型クラッド層8と、該p型クラッド層8の凸ストライプの上に形成されたこのp型クラッド層8よりも抵抗率が低いp型電流均一化層10と、このp型クラッド層8と電流均一化層10の上に形成された斜面部分112 がp型となりその他の部分111 ,113 がn型となっている電流狭窄層11と、この電流狭窄層11の上に形成されたp型コンタクト層12を含む構成を採用する。この斜面部分112 がp型でその他の部分111,113 がn型である電流狭窄層11は、n型不純物とp型不純物の同時ドーピングによって形成することができる。

請求項（抜粋）：

活性層上に凸ストライプ状に形成された上側p型クラッド層と、該p型クラッド層の凸ストライプの上に形成された該p型クラッド層よりも抵抗率が低いp型電流均一化層と、該p型クラッド層と電流均一化層の上に形成された斜面部分がp型となりその他の部分がn型である電流狭窄層と、該電流狭窄層の上に形成されたp型コンタクト層を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。