特許
J-GLOBAL ID：200903077968920624
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092346
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283533
出願日： 1996年04月15日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 SiGeCを用いたHBTを提供する。【解決手段】 p型Si基板61上に高濃度n型領域Si62を成長させ、その上にコレクタ領域となるn型Si層63を成長させ、その上にベース領域となるp型Si層64を成長させ、その上にエミッタ領域であるn型SiGeC混晶65を成長させる。これらは、各接合界面は転位が発生しないようにエピタキシャル成長させている。この構成では、基板、コレクタ領域、ベース領域、エミッタ領域のすべてで格子定数をSiに一致させているため、ヘテロ接合に伴う格子不整合は発生せず、従って格子不整合に起因する歪みによる格子欠陥は発生しない。また格子整合系であるため、臨界膜厚は存在しないため、希望する任意の膜厚を結晶成長させることができる。このように、SiGeC混晶をエミッタ領域に使用すれば、SiGe混晶によるHBTでは不可避であった格子不整合の問題を解決することが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体からなるコレクタ領域、SiもしくはSiとGeとの混晶もしくはSiとGeとCとの混晶からなるベース領域、SiとGeとCとの混晶からなるエミッタ領域を設け、前記エミッタ領域のバンドギャップが、前記ベース領域のバンドギャップより大きくなるようにエミッタ領域およびベース領域の混晶の組成比を選択したヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
