特許
J-GLOBAL ID：200903077969338376
オールソリッドステートUVレーザシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 宍戸 嘉一
, 弟子丸 健
, 井野 砂里
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-555737
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530809
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【解決手段】本発明は、VECSELの構成である少なくとも一つの半導体レーザ(10)を備えた、オールソリッドステートUVレーザシステムに関する。この半導体レーザ(10)の増幅構造(3)は、波長範囲の基本放射を放出し、この周波数をUV領域の波長に倍増する。周波数の倍増は、半導体レーザ(10)の延長キャビティ内に配置された第2高調波を発生させる非線形の光学結晶(6)を用いて行われる。半導体レーザの電気的なポンピングによって、GaNなどの既知の半導体材料を用いて、200nm未満のレーザ波長が効率的に発生する。提案されたUVレーザシステムは小型で、UVエキシマレーザに比べて低コストで製造され及び作動する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
オールソリッドステートUVレーザシステムであって、
VECSELの構成である少なくとも一つの半導体レーザ(10)を備え、前記半導体レーザ(10)は、第1の反射鏡(4)と外部の反射鏡(7)との間に配置された増幅構造(3)を有し、
前記第1の反射鏡(4)と前記外部の反射鏡(7)とは、半導体レーザ(10)のレーザ共振器を形成し、
前記増幅構造(3)は電気的にポンプされる電気接点(5)を備え、電気的にポンプされたとき基本放射を放出し、周波数倍増によってUV放射(9)を発生する上記オールソリッドステートUVレーザシステムにおいて、
前記外部の反射鏡(7)は、基本放射(8)に対して高い反射性であり、前記UV放射(9)に対して透明であり、
前記基本放射(8)の第2高調波を発生する固体素子媒体(6)が、レーザ共振器の前記増幅構造(3)と前記外部の反射鏡(7)との間に配置されている、
ことを特徴とするオールソリッドステートUVレーザシステム。
IPC (3件)：
H01S 5/14
, H01S 5/187
, H01S 5/343
H01S5/14
, H01S5/187
, H01S5/343 610
5F173AC04
, 5F173AC15
, 5F173AC26
, 5F173AH22
, 5F173AS05
