半導体単結晶層の形成方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208405
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036042
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 SPE(固相エピタキシャル成長法)を用いて、デバイスの設計や作製が容易な所望の単結晶層を形成する方法、ならびにこれを用いた半導体装置を提供することである。【解決手段】 (100)等価面をシード部(種結晶部)として用いて、SPE法により非晶質半導体層を単結晶化し、絶縁膜上に単結晶層を形成する方法であって、シード部の平面パターンを、前記非晶質半導体層の所定の領域を取り囲むパターンとし、そのシード部によって取り囲まれた前記非晶質半導体層の所定の領域を固相エピタキシャル成長(SPE)法により単結晶化して前記所望の半導体単結晶層を形成する。このような構成により、周囲の各シード部からSPEが生じ、各単結晶層が相互に連結して、所望の形状の単結晶領域が確実に得られる。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板の(100)等価面上に設けられた絶縁層の一部に開口部を設けて前記(100)等価面の一部を露出させ、前記絶縁層および前記(100)等価面の一部が露出した部分を覆うように非晶質半導体層を形成した後、所定の熱処理を施し、前記(100)等価面の一部が露出した部分をシード部(種結晶部)として使用してこのシード部を起点として固相エピタキシャル成長(Solid Phase Epitaxy;SPE)を生じせしめ、前記絶縁層上に所望の半導体単結晶層を形成する方法であって、前記シード部の平面パターンを、前記非晶質半導体層の所定の領域を取り囲むパターンとし、そのシード部によって取り囲まれた前記非晶質半導体層の所定の領域を固相エピタキシャル成長(SPE)法により単結晶化して前記所望の半導体単結晶層を形成することを特徴とする半導体単結晶層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-135014
特開昭63-281418
特開昭60-236212

前のページに戻る