特許

J-GLOBAL ID：200903077971700341

SOIウエハおよびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 横山 悟一 ,  蓮見 和久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130411
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330553
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 異物発生を防止した優れた構造のSOIウエハおよびそれを用いて製造歩留りの優れた半導体集積回路装置の製造技術を提供する。【構成】 基板としてのシリコンを材料としているベースウエハ1の上面にシリコンを材料としているシリコン領域2の下面が酸化されて形成されている埋め込み酸化シリコン膜3を張り合わせたものであり、埋め込み酸化シリコン膜3周辺の表面に設けられているシリコン領域2のテーパ角度θは10度〜90度となっている。

請求項（抜粋）：

ベースウエハ上面に絶縁膜を介して半導体領域が設けられているSOIウエハであって、前記絶縁膜の表面に設けられている前記半導体領域のテーパ角度は10度〜90度であることを特徴とするSOIウエハ。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B