特許
J-GLOBAL ID：200903077975301492
不純物量測定方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下出 隆史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126811
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハを加熱すること無く、絶縁膜中に含まれる膜内不純物イオンの量を測定する。【解決手段】 所定の光を照射する前に第1のC-V曲線F1を求め、光照射後にも第2のC-V曲線F2を求める。そして、第1と第2のC-V曲線から、光を照射する前の状態における絶縁膜中の膜内不純物イオン量を決定する。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成された絶縁膜近傍に存在する不純物量を測定する不純物量測定方法であって、(a)前記絶縁膜中に含まれる膜内不純物イオンの量に関連した所定の電気特性の第1の測定値を求める工程と、(b)前記基板表面に第1の波長範囲の光を照射することによって、前記膜内不純物イオンを電気的に中和させる工程と、(c)前記膜内不純物イオンが中和された状態において、前記所定の電気特性の第2の測定値を求める工程と、(d)前記第1と第2の測定値から、前記第1の波長範囲の光を照射する前の状態における前記膜内不純物イオンの量を決定する工程と、を備えることを特徴とする不純物量測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 27/00
, G01N 27/416
H01L 21/66 N
, G01N 27/00 Z
, G01N 27/46 U
