特許

J-GLOBAL ID：200903077977942061

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 宮本 忠芳 ,  三谷 康弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107240
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293872
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 電界効果移動度が高く、かつ電界効果移動度の半導体基板内でのばらつきの小さい薄膜トランジスタを得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1の表面を洗浄した後、ベースコート膜2を形成し、非晶質シリコン膜3を形成する。そして、第1のレーザー光4を絶縁性基板1を最適な焦点位置から遠ざけた位置に設置して照射し、非晶質シリコン膜3を変成する。次に、変成されたシリコン膜5に、第2のレーザー光6を絶縁性基板1を最適な焦点位置に設置して照射し、変成されたシリコン膜5を熔融結晶化して多結晶シリコン膜7にする。次に、多結晶シリコン膜7を島状にパターニングし、薄膜トランジスタを形成する領域以外の多結晶シリコン膜7を除去する。そして、多結晶シリコン膜7上にゲート絶縁膜8及びゲート電極9を形成して不純物注入を行う。さらに、絶縁膜10、ソース電極11及びドレイン電極12を形成し、薄膜トランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に堆積された非晶質半導体膜に、少なくとも2回のレーザー光照射を行うことにより、前記非晶質半導体膜を多結晶半導体膜とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記レーザー光は、少なくとも2種類の異なるエネルギー強度分布を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z