特許
J-GLOBAL ID：200903077978959308
半導体ウエハのドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209760
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037050
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 目的部分の被エッチング膜を残し、その他の部分の被エッチング膜を全て除去する。【構成】 半導体ウエハのドライエッチング装置において、真空容器1の内部に、反転したウエハSの下面に配置するマスク7を備え、該マスク7のウエハ配置面には、ウエハSの表面に描かれた配線パターンの外周を囲み、且つ所定高さを有する連続した凸状の保護パターン7aが形成されている。このため保護パターン7aの内側の被エッチング膜S1 のみ残り、保護パターン7aの外側の被エッチング膜S2 は全てエッチングされる。
請求項（抜粋）：
ウエハを収納する真空容器と、該真空容器内に流入する反応ガスをプラズマ化する高周波電極を備えた半導体ウエハのドライエッチング装置において、前記真空容器内には、反転した前記ウエハの下面に配置するマスクが備えられると共に、該マスクのウエハ配置面に、前記ウエハの表面に描かれた配線パターンの外周を囲み且つ所定高さを有する連続した突状の保護パターンが形成されていることを特徴とする半導体ウエハのドライエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
