特許
J-GLOBAL ID：200903077981272470
アモルファスNb酸化皮膜の健全化方法及びNb固体電解コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247673
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059777
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】健全で、コンデンサとして十分な耐熱強度を有するアモルファスNb酸化皮膜を提供し、ひいては同一形状、同一構造でTa固体電解コンデンサ並みの性能を有する安価で軽量のNb固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】固体電解コンデンサの製造方法において、化成処理前に化学洗浄によりNb多孔質体の表面のNb気相酸化物または不純物を除去する表面清浄化処理を行い、化成処理によりそのNb多孔質体表面にアモルファスNb酸化物からなる誘電体皮膜を形成する誘電体形成処理を行い、加熱によりその誘電体皮膜の欠陥部分にクラックを発生させる欠陥検出処理を行い、化学洗浄により欠陥部分を除去するために欠陥除去処理を行い、化成処理により欠陥部分を修復する欠陥修復処理を行う。
請求項（抜粋）：
表層にアモルファスNb酸化皮膜が形成されたNb金属体を加熱する第一処理を行い、前記Nb金属体を化学洗浄する第二処理を行い、前記Nb金属体を酸化する第三処理を行うことを特徴とするアモルファスNb酸化皮膜の健全化方法。
IPC (3件)：
H01G 9/04 301
, C25D 11/26 303
, H01G 9/00
H01G 9/04 301
, C25D 11/26 303
, H01G 9/24 B
