半導体用ガラス及びこれを用いた半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304139
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】低温粘性流動化ができ、平坦性に優れ、膜質の均質化ができることを目的とする。【構成】 PO(CH3 )3 ,P(OC2 H5 )3 ,B(OCH3 )3 ,B(OC3 H7 )3 ,Si(OC2 H5 )4 のうち少なくとも2種類以上の化合物により形成した。

請求項（抜粋）：

PO(CH3 )3 ,P(OC2 H5 )3 ,B(OCH3 )3,B(OC3 H7 )3 ,Si(OC2 H5 )4 のうち2種類以上の化合物により形成したことを特徴とする半導体用ガラス。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C03C 3/064 , C03C 3/097 , C03C 6/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

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