特許
J-GLOBAL ID：200903077988172780
薄膜能動素子基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-317813
出願日： 1985年05月16日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】TFT基板での短絡等による欠陥を修復する。【構成】ソース電極4がゲート電極7との交差部分近傍に、ソース電極4に平行して補助電極8を設け、その補助電極8の両端に周辺の電極と接続するためのインターデジタルな形状の部分11A、11B、11C、11Dを形成しておく。不良が生じた場合には、このインターデジタルな形状の部分で補助電極8をソース電極4または表示電極3に接続して欠陥を修復する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に行列状に電極を配し、該行列状の電極交差点部近傍に薄膜能動素子を設けてなる薄膜能動素子基板において、電極交差点近傍に補助電極が設けられ、薄膜能動素子の表示電極と補助電極との間、列電極を交差する補助電極と行電極との間、行電極を交差する補助電極と列電極との間のうちのいずれかにインターデジタルな形状部分で相互に接続された箇所があることを特徴とする薄膜能動素子基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30
, H01L 29/784
