特許
J-GLOBAL ID:200903077998669586

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-065012
公開番号(公開出願番号):特開2000-260817
出願日: 1999年03月11日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 生産効率および信頼性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 接着樹脂層4が表面に形成された半導体チップ3aを、接着樹脂層4を介して、はんだバンプ2が表面に形成された配線基板1に搭載する。このとき、配線基板1に形成されたはんだバンプ2と半導体チップ3aの被接続部とを接触させる。次に、接着樹脂層4およびはんだバンプ2を溶融してから固化することによって、配線基板1に形成されたはんだバンプ2と半導体チップ3aの被接続部とを接合するとともに配線基板1に半導体チップ3aを固定する。
請求項(抜粋):
半導体素子を有する半導体チップを実装するための配線基板を形成する工程と、前記半導体チップと電気的な接続をとるための導電性のバンプを前記配線基板に形成する工程と、前記バンプに接続される被接続部を有する複数の前記半導体チップとなる領域を含む半導体ウエハの表面上に、複数の前記半導体チップとなる領域にわたって、前記配線基板と固定させるための接着樹脂層を連続して形成する工程と、前記接着樹脂層および前記半導体ウエハを前記半導体チップ毎に切断分割する工程と、前記接着樹脂層を介して前記半導体チップを前記配線基板に固定するとともに、前記被接続部と前記バンプとを電気的に接続する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
Fターム (5件):
5F044KK10 ,  5F044KK18 ,  5F044LL01 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ06

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