特許
J-GLOBAL ID:200903078001349656
回路基板の製造方法および回路基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-349765
公開番号(公開出願番号):特開平11-186698
出願日: 1997年12月18日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 高集積回路素子等の高密度実装を必要とする回路基板の製造方法において、配線パターンの形成が湿式処理のフォトリソグラフ法によって行われるため、微細な配線パターンの形成が困難であるという課題を解決し、簡単な方法で基板の表面と配線パターン導体の表面が平坦化された高密度実装に適した回路基板の製造方法とその回路基板を提供する。【解決手段】 貫通孔12内に導電性ペースト13が充填されたプリプレグ状態の樹脂基板11の両面にそれぞれ異なる配線パターンが凸状に形成された上金型Cおよび下金型Dを配置し、両側から加熱、加圧することにより、樹脂基板11を硬化すると同時に硬化した樹脂基板14の両面に配線パターン形状の凹状部15を形成した後、その凹状部15に導電ペースト等の配線パターン導体16を充填して樹脂基板14の表面と配線パターン導体16の表面とを平坦化させる。
請求項(抜粋):
貫通孔および前記貫通孔内に充填された導電体を有する半硬化状態の樹脂基板の少なくとも片面に、配線パターン型が凸状に形成された金型を挿入した状態で、加圧および加熱して前記樹脂基板を硬化させることによって、前記樹脂基板の表面に配線パターン形状を形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程の後、前記配線パターン形状の凹部に、電気導体を充填する電気導体充填工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (9件):
H05K 3/22
, H01L 23/12
, H05K 3/00
, H05K 3/04
, H05K 3/06
, H05K 3/10
, H05K 3/18
, H05K 3/40
, H05K 3/46
FI (11件):
H05K 3/22 B
, H05K 3/00 M
, H05K 3/04 A
, H05K 3/06 A
, H05K 3/10 E
, H05K 3/18 E
, H05K 3/40 K
, H05K 3/46 L
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
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