特許

J-GLOBAL ID：200903078003798423

化合物結晶の製造装置および化合物結晶の製造方法

発明者： 西嶋 由人 ,  中嶋 一雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-049593
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：

【要約】3-5族系乃至4-4族系の多元化合物半導体結晶、所謂混晶のバルク結晶成長を、より純度の高い結晶が得られるように改良した技術に関し、種結晶をもとに化合物結晶を成長させるに用いる製造技術であって、坩堝内を、該坩堝の内断面積よりも狭い開口を有して区分し、かつ前記化合物結晶の溶融温度に耐える材料からなる仕切りを有する化合物結晶の製造技術。

請求項（抜粋）：

種結晶をもとに化合物結晶を成長させるに用いる製造装置であって、坩堝内を、該坩堝の内断面積よりも狭い開口を有して区分し、かつ前記化合物結晶の溶融温度に耐える材料からなる仕切りを有する化合物結晶の製造装置。

IPC (4件)：

C30B 11/00 ,  C30B 11/06 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 11/00 C ,  C30B 11/06 ,  C30B 29/40 501 C ,  H01L 21/208 T