特許

J-GLOBAL ID：200903078004299986

ハイドライド気相エピタキシーとレーザビームを用いる窒化物単結晶基板の製造装置及び製造方法

発明者： キム ボン-チョル
出願人/特許権者： プロウテク アイエヌシー
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-527024
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510237
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【課題】ハイドロ気相エピタキシー法により形成される窒化物単結晶基板におけるクラックの発生を防止することができる製造装置及び方法を提供すること。【解決手段】母基板30を用意するステップと、反応室11A内で母基板30上に窒化物単結晶膜を形成するステップと、母基板30を加熱室11C内に移動させ、窒化物単結晶膜を常温より高い温度に保持するステップと、母基板30の裏側からレーザビーム50を照射して母基板30から窒化物単結晶膜を分離させるステップとを含む。

請求項（抜粋）：

母基板上に単結晶膜を成長させるための反応室と、 処理チャネル内の前記反応室と接続され、常温より高い温度で前記母基板から前記単結晶膜を分離させるための加熱室と、 前記単結晶膜及び前記母基板を支持し、前記単結晶膜を所定の温度に保持する支持台とを含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造装置。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (27件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK11 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ08 ,  5F045EC03 ,  5F045EG03 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25