特許

J-GLOBAL ID：200903078011628790

半導体及び/又はシリコンを含む薄膜を形成するための組成物と方法、および形成された構造体

発明者： クラウス クンツェ ,  スコット ハウブリッチ ,  ファビオ チュルシェ ,  ブレント リドリー ,  イエルク ロックンバーガー
出願人/特許権者： コヴィオ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202419
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051222
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】パターン形成された半導体や半導体薄膜を形成する組成物及び方法或いは構造体を提供すること【解決手段】保護化された半導体ナノ粒子と、Aが独立してSiまたはGeである際に、化学式(AHX)nで示される、第1の周期表第4A族化合物、および/又は化学式(AHX)m(AHyRz-y)p(ZR ́w)q で示される第2の周期表第4A族化合物であって、当該化学式において、それぞれのAは、化学式毎に独立してSiまたはGeであり、それぞれのRは、化学式毎に独立して、アルキル、アリール、アラルキル、ハロゲン、BHsR”2-s、PHsR”2-s、AsHsR”2-s、或いは、AHtR”3-tであって、R”は、アルキル、アリール、アラルキル、ハロゲン、又はAH3であり、Zは、B(ホウ素)、P(リン)、As(砒素)のグループから選択され、R ́は、RかあるいはH(水素)である化合物の少なくとも一方を備える組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

組成物であって、 a)保護化された半導体ナノ粒子と、 b)nが3から12であり、それぞれのnを代入した場合に対応するxの値が独立して1或いは2であり、Aが独立してSiまたはGeである際に、

IPC (1件)：

H01L21/208

FI (1件)：

H01L21/208 Z

Fターム (6件)：

5F053AA06 ,  5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053PP03