特許
J-GLOBAL ID：200903078013102249
フォトダイオードおよび光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-291504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114580
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 波長選択性を有し、かつ作製の容易なフォトダイオード、およびこのフォトダイオードを用い、合波器や分波器などの光部品を要せず、極めてシンプルな光回路によって波長分割多重光通信が可能な光通信システムを提供する。【解決手段】 pin型フォトダイオード100は、n型半導体基板101上に積層された光吸収層102およびコンタクト層103を有する。コンタクト層103は、そのバンド幅が光吸収層102のバンド幅より大きく、かつコンタクト層103は、該コンタクト層のバンド幅のエネルギーに相当する波長以下の波長を有する光をぼほ吸収できる膜厚を有する。コンタクト層103のバンド幅のエネルギーに相当する波長をλ<SB>gc</SB>とし、光吸収層102のバンド幅のエネルギーに相当する波長をλ<SB>gi</SB>とすると、光吸収層102では、下記式λ<SB>gc</SB><λ≦λ<SB>gi</SB>を満たす波長λの光が吸収される。
請求項（抜粋）：
半導体基板、該半導体基板上に積層された光吸収層およびコンタクト層が含まれ、前記コンタクト層は、そのバンド幅が前記光吸収層のバンド幅より大きく、かつ前記コンタクト層は、該コンタクト層のバンド幅のエネルギーに相当する波長以下の波長を有する光をぼほ吸収できる膜厚を有する、フォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, G02B 6/12 B
2H047MA07
, 2H047QA02
, 2H047TA05
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA10
, 5F049NB01
, 5F049QA17
, 5F049QA20
, 5F049SZ07
, 5F049SZ08
