特許
J-GLOBAL ID:200903078015657701
プラズマ処理方法とプラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森本 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-225858
公開番号(公開出願番号):特開2001-053069
出願日: 1999年08月10日
公開日(公表日): 2001年02月23日
要約:
【要約】【課題】 真空槽内のプラズマ密度を低下させることなくこの真空槽のプラズマ励起用の高周波が放射される箇所を加熱するプラズマ処理方法とプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、被対象物が内部に設置されて密閉される真空槽としての真空チャンバー2にプラズマ励起用の高周波(13.56MHz)を外部から放射してこの真空チャンバー2の内部にプラズマを励起させて前記被対象物を処理するプラズマ処理装置において、前記高周波(13.56MHz)とは周波数が異なるマイクロ波(2450MHz)を真空チャンバー2の高周波(13.56MHz)が放射される箇所である天板4に放射する放射手段5を設け、真空チャンバー2の天板4に、高周波(13.56MHz)は透過しマイクロ波(2450MHz)は吸収する誘電体6を設けたものである。
請求項(抜粋):
被対象物が内部に設置されて密閉される真空槽に第一の電磁波を外部から放射してこの槽内にプラズマを励起させて前記被対象物を処理するに際し、真空槽の前記第一の電磁波が放射される箇所に、前記第一の電磁波は透過しこの第一の電磁波とは周波数が異なる第二の電磁波は吸収する誘電体を設けておき、真空槽の前記箇所に前記第二の電磁波を放射して前記誘電体を加熱し、真空槽の前記箇所に前記第一の電磁波を放射して前記槽内にプラズマを励起させるプラズマ処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (3件):
H01L 21/31 C
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
Fターム (15件):
5F004AA15
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004CA06
, 5F045AA08
, 5F045BB14
, 5F045EB03
, 5F045EB06
, 5F045EC05
, 5F045EH02
, 5F045EH03
, 5F045EH11
, 5F045EK02
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