特許

J-GLOBAL ID：200903078015709019

基板保持方法ならびにそれを用いた薄膜多層基板の製造方法および装置

発明者： 吉本 光雄 ,  志儀 英孝 ,  石野 正和 ,  井上 隆史 ,  三浦 慎也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027777
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244093
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 表裏両面に薄膜層による製品パターンが形成される薄膜多層基板の基板処理工程において、基板を真空吸着する場合に製品パターン部の汚染、損傷を防止して製品不良を低減できる薄膜多層基板の製造技術を提供する。【構成】 基板の薄膜製造工程のレジスト塗布、現像、エッチング、絶縁膜塗布のように基板を回転させて表面処理を行なう工程に用いられる製造装置であって、基板1の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッド2〜5を有し、この複数の真空吸着パッド2〜5が独立に動作可能な機能を有するスピンチャック6などから構成されている。そして、基板1との隙間がある真空吸着パッド2を上下動作させて隙間を全てなくした後に、管通路7を通じて真空源8により基板1が真空吸着パッド2〜5に吸着保持される。

請求項（抜粋）：

基板の裏面周辺の複数個所を吸着する複数の真空吸着パッドを有し、該複数の真空吸着パッドが独立に動作可能な機能を有するチャックを備え、該チャックにより前記基板を保持することを特徴とする基板保持方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68 ,  H05K 3/46 ,  B23Q 3/08

FI (2件)：

H01L 21/30 361 C ,  H01L 21/30 361 L