特許
J-GLOBAL ID:200903078022222222
プラスチック成型品に回路を形成した部品
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-180538
公開番号(公開出願番号):特開2001-007485
出願日: 1999年06月25日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 ワイヤボンディング性及びパターンメッキ性に優れたプラスチック成型品に回路を形成した部品を提供する。【解決手段】 所望の形状に成型されたプラスチック成型品の表面が粗化され、その粗化面の全面に無電解銅メッキが施され、無電解銅メッキ層の上にレジストが塗布され、そのレジストがフォトマスクを介して露光され、銅エッチングが行われて銅メッキ層からなる回路1が成型基材表面2上に形成され、レジストが剥離された後、銅メッキ層を保護するメッキ層として無電解ニッケル/金メッキ層が形成された部品において、無電解ニッケルメッキ層のホウ素原子含有率を0.8〜2.2wt.%の範囲内にすることによりワイヤボンディング性及びパターンメッキ性が向上する。
請求項(抜粋):
所望の形状に成型されたプラスチック成型品の表面が粗化され、その粗化面の全面に無電解銅メッキが施され、無電解銅メッキ層の上にレジストが塗布され、そのレジストがフォトマスクを介して露光され、銅エッチングが行われて銅メッキ層からなる回路が形成され、レジストが剥離された後、銅メッキ層を保護するメッキ層として無電解ニッケル/金メッキ層が形成された部品において、上記無電解ニッケルメッキ層のホウ素原子含有率が0.8〜2.2wt.%の範囲内であることを特徴とするプラスチック成型品に回路を形成した部品。
IPC (3件):
H05K 3/24
, C23C 18/32
, H05K 3/18
FI (3件):
H05K 3/24 A
, C23C 18/32
, H05K 3/18 J
Fターム (32件):
4K022AA02
, 4K022AA18
, 4K022AA42
, 4K022BA03
, 4K022BA04
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022BA35
, 4K022BA36
, 4K022CA02
, 4K022CA08
, 4K022CA15
, 4K022CA26
, 4K022DA01
, 5E343AA02
, 5E343AA17
, 5E343BB13
, 5E343BB14
, 5E343BB17
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343CC35
, 5E343CC62
, 5E343DD33
, 5E343EE37
, 5E343ER12
, 5E343ER18
, 5E343ER23
, 5E343GG04
, 5E343GG11
, 5E343GG20
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