特許
J-GLOBAL ID:200903078023351581

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三谷 惠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-266217
公開番号(公開出願番号):特開2003-079162
出願日: 2001年09月03日
公開日(公表日): 2003年03月14日
要約:
【要約】【課題】 各半導体素子の発熱損失による温度上昇の平準化を図り、インダクタンスの低減も図ることができる電力変換装置を提供することである。【解決手段】 電力変換装置の素子配置は、それぞれの半導体素子の短辺側が風の流れに直面する方向としつつ、発熱損失の小さい第1のダイオードおよび第2のダイオードを受熱部の中央に、その両側に発熱損失の大きい第2の半導体素子および第3の半導体素子を、それらより発熱損失の小さい第1の半導体素子および第4の半導体素子を受熱部の両端に配置し受熱部の温度分布を平準化する。
請求項(抜粋):
電力変換部を構成する各相が一つのユニットで構成され、その主回路は、直流正端子と直流負端子との間に第1の半導体素子から第4の半導体素子の4個の半導体素子を直列に接続すると共に、第1のダイオードおよび第2のダイオードを直列に接続し、第2の半導体素子と第3の半導体素子との接続点に交流端子を接続すると共に、第1のダイオードと第2のダイオードとの接続点に中性点端子を接続し、第1のダイオードは第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続点に接続され、第2のダイオードは第3の半導体素子と第4の半導体素子との接続点に接続されて構成され、一つのユニットを構成する半導体素子群は同一平面上の受熱部に設置され放熱部を通風する冷却風により放熱するようにした電力変換装置において、一つのユニットを構成する各々の半導体素子の短辺側を冷却風の流れに直面する方向に向け、前記受熱部の中央に第1のダイオードおよび第2のダイオードを、第1のダイオードの端側に第2の半導体素子を、第2のダイオードの端側に第3の半導体素子を、第2の半導体素子の端側に第1の半導体素子を、第3の半導体素子の端側に第4の半導体素子を配置することを特徴とする電力変換装置。
IPC (6件):
H02M 7/48 ,  H01L 23/467 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 1/00 ,  H05K 7/20
FI (5件):
H02M 7/48 Q ,  H02M 1/00 R ,  H05K 7/20 H ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/46 C
Fターム (29件):
5E322BB07 ,  5E322EA10 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BB35 ,  5F036BC06 ,  5F036BE01 ,  5H007AA05 ,  5H007AA06 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CB05 ,  5H007CC04 ,  5H007CC06 ,  5H007CC23 ,  5H007DC08 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA06 ,  5H740AA08 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740MM08 ,  5H740MM10 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5H740PP05

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