特許
J-GLOBAL ID：200903078027983892
半導体メモリ素子の冗長アレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287375
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235076
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 読み書き動作の高速化、メモリ密度の高密度化、耐久性及び信頼性を向上させた半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 RAID技法の構造と半導体メモリ装置とを独特の方法で組み合わせた、半導体メモリの冗長アレイを用いる装置を開示する。この装置は、ハウジング内に装着された複数の回路基板アセンブリを備える。ハウジングは標準5.25インチのコンピュータ・ドライブ・ベイ内またはラック搭載ハウジング内に収まることが好ましい。回路基板アセンブリは、たとえばフラッシュ・メモリPCMCIAカードなどの半導体メモリ装置と電気的に接続されている。データ経路制御回路によって、ホスト・システムとフラッシュ・メモリ・カードの間のインタフェースがとられる。
請求項（抜粋）：
ホスト・システムとインタフェースする、データ記憶のための半導体メモリ装置であって、複数の半導体メモリ素子と、前記複数の半導体メモリ素子を論理的に単一の半導体メモリ素子としてホスト・システムに提示するインタフェース手段とを備えた、半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
G06F 12/16 320
, G06F 3/06 540
, G11C 11/413
, G11C 29/00 301
G06F 12/16 320 L
, G06F 3/06 540
, G11C 29/00 301 B
, G11C 11/34 341 C
