特許
J-GLOBAL ID：200903078031334742
化学的/機械的プレーナ化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251435
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306879
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 化学的/機械的プレーナ化方法を提供すること。【解決手段】 種々な物質の層を含む半導体基板の化学的/機械的プレーナ化(CMP)方法であって、半導体基板を、研磨スラリーの存在下で、回転定盤上に回転研磨パッドに押し付けて保持することによって、半導体基板をプレーナ化する工程と;研磨スラリーの温度を約10〜30°Cの温度範囲内に制御する工程と;前記温度制御済みスラリーを前記回転研磨パッド上に分配する工程と;前記半導体基板の表面を摩耗する特定の研磨パッド位置における前記回転研磨パッドの温度を赤外検出手段によって測定する工程と;第1物質の除去と、前記回転研磨パッドによる第2物質への接触とのために前記回転研磨パッドの温度の変化が生ずるときに終点を検出する工程とを含む前記方法。
請求項（抜粋）：
種々な物質の層を含む半導体基板の化学的/機械的プレーナ化(CMP)方法であって、次の工程:半導体基板を、研磨スラリーの存在下で、回転定盤上に回転研磨パッドに押し付けて保持することによって、半導体基板をプレーナ化する工程と;研磨スラリーの温度を約10〜30°Cの温度範囲内に制御する工程と;前記温度制御済みスラリーを前記回転研磨パッド上に分配する工程と;前記半導体基板の表面を摩耗する特定の研磨パッド位置における前記回転研磨パッドの温度を赤外検出手段によって測定する工程と;第1物質の除去と、前記回転研磨パッドによる第2物質への接触とのために前記回転研磨パッドの温度の変化が生ずるときに終点を検出する工程とを含む前記方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/306
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 P
, H01L 21/306 M
, H01L 21/306 U
