特許
J-GLOBAL ID：200903078033982725
回路基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190676
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045920
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 大型のヒートシンクを使わずに半導体素子の放熱性を高めることができる回路基板およびその製造方法を提供する。【構成】 金属基板10と、樹脂絶縁層12と、回路パターンを構成する複数の金属製パターン部14とを有し、半導体素子チップ17を固定すべき箇所には金属基板10の表面が露出した素子固定部20が形成されている。素子固定部20には半導体素子チップ17が鑞付け、半田付けまたは接着されて各パターン部14との間に配線され、各配線22および半導体素子を封止する樹脂パッケージ24が形成されている。
請求項（抜粋）：
金属基板と、この金属基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に前記金属基板から絶縁された状態で形成され回路パターンを構成する複数のパターン部とを有し、前記絶縁層の半導体素子を固定すべき箇所には開口部が形成され、これにより前記金属基板の表面が露出した素子固定部が形成されていることを特徴とする回路基板。
IPC (3件)：
H05K 1/05
, H01L 23/12
, H05K 3/44
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
