特許
J-GLOBAL ID：200903078035356244
多層エピタキシヤル結晶構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110135
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【構成】 pn接合を有する多層エピタキシャル結晶構造を備えた半導体単結晶基板において、p型半導体層とn型半導体層との間に当該p型半導体層内のp型不純物の拡散深さに相当する厚みのアンドープ半導体層もしくは低キャリア濃度の半導体層からなるスペーサ層を介在させるようにした。【効果】 p型不純物がn型半導体層内まで拡散してpn接合界面が設計位置からずれたり、pn接合界面近傍でのキャリア濃度分布の急峻性が損なわれて発光効率等デバイスの特性が劣化するのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
pn接合を有する多層エピタキシャル結晶構造を備えた半導体単結晶基板において、p型半導体層とn型半導体層との間に当該p型半導体層内のp型不純物の拡散深さに相当する厚みのアンドープ半導体層もしくは低キャリア濃度の半導体層からなるスペーサ層が介在されていることを特徴とする多層エピタキシャル結晶構造。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, C30B 25/02
, C30B 25/18
, H01L 21/20
, H01L 21/205
