特許
J-GLOBAL ID:200903078039807178

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-267124
公開番号(公開出願番号):特開平8-130282
出願日: 1994年10月31日
公開日(公表日): 1996年05月21日
要約:
【要約】【目的】 集積回路基板のランド部とリード端子を半田等で固着し、樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、ランド部とリード端子の先端部との半田等による固着力を高めることにより、リード端子の接続強度を向上させる。【構成】 隣接したリード同士が同電位である部位においては、リード端子23は隣接する2本のリード部(柄部)23b,23bを持ち、先端部に相互に連結した共用固着片23aを有している。これに対し、回路基板10の縁部裏面には共用固着片23aの合わせ代より幅広い幅広ランド部bが形成されている。リード端子23は先端部にリード部23bの幅の和以上の幅寸法を持つ共用固着片23aを有しているため、隣接のリード端子22の先端部を個別的に半田付けする場合に比し、共用固着片23aで半田付けする方が固着代が広くなっており、固着強度を高めることができる。この結果、リード端子の接続強度が向上する。
請求項(抜粋):
集積回路基板上に形成された配線のランド部とリード端子の先端部とを半田等で固着して導電接続し、樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、隣接する2以上のリード端子同士はそれらの柄部の先端部に相互に連結した共用固着片を有しており、前記集積回路基板には前記共用固着片の合わせ代より幅広い幅広ランド部が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/12 H ,  H01L 23/12 K ,  H01L 25/04 Z

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