特許
J-GLOBAL ID：200903078045718977
液晶素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303179
公開番号（公開出願番号）：特開平7-159791
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高速で循環する液体による液晶素子の破損を阻止することを目的とする。【構成】 強誘電性液晶を、電極を設け配向処理した2枚の大面積基板間に挟持した液晶素子であって、強誘電性液晶を、カイラルスメクチック相よりも高温側の相より徐冷することによってカイラルスメクチック相のモノドメイン層を得る液晶素子の製造方法において、液晶素子(1)を保持する保護容器(12)がカイラルスメクチック相よりも高温側の相に対応する温度で循環する液体(10)に浸積された状態で、液体を降温することで強誘電性液晶(9)のカイラルスメクチック相を形成する液晶素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
強誘電性液晶を、電極を設け配向処理した2枚の大面積基板間に挟持した液晶素子であって、当該強誘電性液晶を、カイラルスメクチック相よりも高温側の相より徐冷することによって前記カイラルスメクチック相のモノドメイン層を得る液晶素子の製造方法において、前記液晶素子を保持する保護容器が前記カイラルスメクチック相よりも高温側の相に対応する温度で循環する液体に浸積された状態で、当該液体を降温することで前記強誘電性液晶のカイラルスメクチック相を形成することを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/1337 510
, G02F 1/13 101
