特許

J-GLOBAL ID：200903078048502096

半導体成膜装置

発明者： 古賀 和博 ,  近藤 泰一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198184
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058013
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体成膜装置での製造上の歩留まりを高める。【構成】 成膜チャンバ2の内壁に防着板3が固定部材4で固定される半導体成膜装置1において、前記固定部材4の表面粗さ精度を最大高さ4μm乃至15μmに設定する。

請求項（抜粋）：

成膜チャンバの内壁に防着板が固定部材で固定される半導体成膜装置において、前記固定部材の表面粗さ精度が最大高さ4μm乃至15μmに設定されていることを特徴とする半導体成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/205