特許
J-GLOBAL ID：200903078049188069
光学記憶媒体及び記憶方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-077105
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274890
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 高速書き込みが可能で波長多重度が大きな超高密度光学記憶媒体、及びその使用方法としての記憶方法を提供する。【構成】 ゲスト分子及びこれを分散し得るマトリクスからなり、前記マトリクスと前記ゲスト分子との相互作用が異なるために生ずる不均一な吸収線の広がりを有する光学記憶媒体において、ゲスト分子がアニオン性電子供与性ゲスト分子とカチオン性電子受容性ゲスト分子からなることを特徴とする光学記憶媒体、及びその使用方法としての、マトリクスとゲスト分子との相互作用が異なるために生ずる不均一な吸収線の広がりの周波数次元に、アニオン性電子供与性ゲスト分子とカチオン性電子受容性ゲスト分子との間の電子移動反応に基づき永続的なデータビットを記憶することを特徴とする記憶方法に関する。
請求項（抜粋）：
ゲスト分子及びこれを分散し得るマトリクスからなり、前記マトリクスと前記ゲスト分子との相互作用が異なるために生ずる不均一な吸収線の広がりを有する光学記憶媒体において、ゲスト分子がアニオン性電子供与性ゲスト分子とカチオン性電子受容性ゲスト分子からなることを特徴とする光学記憶媒体。
IPC (3件)：
G11C 13/04
, B41M 5/26
, G11B 7/24 516
