特許
J-GLOBAL ID：200903078049206407
半導体基板の熱処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138536
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349839
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 1100°C以上の高温の還元性あるいは不活性の雰囲気の下で熱処理を行っても、雰囲気を窒素ガスに換えた場合に基板表面に窒化膜を生じさせることなく基板表面の粗さを増大させないようし、基板に起因する酸化膜の欠陥を生じさせないようにする半導体基板の処理方法を提供する。【構成】 半導体基板を炉中に載置し1100°C以上の温度の還元性あるいは不活性の雰囲気中で所定時間熱処理し、前記雰囲気を所定温度へ降下させた後あるいは前記所定温度へ降下させながら前記雰囲気を窒素ガスに換え、前記半導体基板をさらに熱処理しあるいは炉から取り出す半導体基板の熱処理方法において、前記所定温度は略600°C以上略850°C以下の温度であることを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板を炉中に載置し1100°C以上の温度の還元性あるいは不活性の雰囲気中で所定時間熱処理し、前記雰囲気を所定温度へ降下させた後あるいは前記所定温度へ降下させながら前記雰囲気を窒素ガスに換え、前記半導体基板をさらに熱処理しあるいは炉から取り出す半導体基板の熱処理方法において、前記所定温度は略600°C以上略850°C以下の温度であることを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 29/784
