特許

J-GLOBAL ID：200903078052508228

半導体製造装置

発明者： 中嶋 啓乃 ,  青野 浩二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169007
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 ウェハの反りや裏面の異物に影響されることなくウェハを水平に吸着できる半導体製造装置を得る。【構成】 ウェハステージ1に上下動可能な筒状の支柱4を設ける。ウェハステージ1にウェハ3が搬入され、所定の位置に置かれると、センサ100で反り等のウェハ状態を確認し、その状態に応じて各々の筒状の支柱4を上下動させる。ウェハ3裏面に異物5が付着している場合でも同様にして異物5の高さにあわせてウェハ吸着面を設定する。【効果】 ウェハを水平に吸着することができるので、プロセスが安定し、高い再現性を得ることのできる効果がある。

請求項（抜粋）：

ウェハステージを有し、真空吸着によってウェハステージ上にウェハを固定する半導体製造装置において、ウェハの反りの状態,裏面に付着している異物等を検出する検出手段と、そのセンサの出力信号に応じてウェハステージ上の吸着口ごとに吸着強度を変える手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。