特許

J-GLOBAL ID：200903078061694042

多層配線構造

発明者： 上野 和良
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275551
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 配線の微細化に伴う配線間容量の増加の問題を緩和し、かつ接続孔の微細化が容易な多層配線を実現する。【構成】 下地である2酸化シリコン1上に第1の配線2、その配線間を埋めるシロキサン変成ポリイミド3、窒化シリコン4、2酸化シリコン5からなる層間絶縁膜、さらにその上に形成した第2の配線7、第1の配線と第2の配線を接続するW接続柱6、表面を覆っている保護膜8で構成されている。

請求項（抜粋）：

第一の配線と、この第一の配線上に設けられた第一の絶縁膜と、この第一の絶縁膜上に設けられ、前記第一の絶縁膜に選択的に形成されている接続孔を介して前記第一の配線と電気的に接続された第2の配線を少なくとも有する多層配線構造において、前記第一の配線の間の少なくとも一部が前記第一の絶縁膜より低誘電率の絶縁材料で埋め込まれていることを特徴とする多層配線構造。