特許
J-GLOBAL ID：200903078065839789

半導体装置およびその製造方法

発明者：
小原 浩志

小原 浩志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100852
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】金属メッキバンプによるTAB実装時の高温下での圧着によりバンプ下のパッシベーション膜のクラックという問題が有った。半田バンプでも熱応力による信頼性の低下という問題が有った。【解決手段】金属メッキバンプ(16)上の半田バンプ(20)に着目し、細密バンプパターンに対応可能で且つ、実装時の加熱圧着温度の低減によるパッシベーションクラックの防止及び半田バンプにかかる応力を金属メッキバンプの構造、及び材質で吸収できるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのパッドを有する半導体装置において、上記半導体基板のパッド電極部に金属メッキバンプと半田バンプが二層に形成されていて、前記金属メッキバンプの垂直寸法にたいして、前記半田メバンプの高さ寸法が0.05倍から10倍の範囲に有ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 A
Fターム (4件)：
4M105FF02 ,  4M105FF03 ,  4M105FF04 ,  4M105FF05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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