特許
J-GLOBAL ID：200903078077280191

光電変換用単結晶成型シリコンおよび単結晶成型シリコン本体の製造方法および装置

発明者：
スタッダード,ネイサン・ジー

スタッダード,ネイサン・ジー について


出願人/特許権者：
ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド

ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  上田 忠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-551520
公開番号（公開出願番号）：特表2009-523693
出願日： 2007年01月18日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
光電変換セルおよびその他の用途のためのシリコンを成型する方法および装置が提供される。このような方法および装置により、半径方向に分布する不純物や欠陥がないかまたは実質的になく、少なくとも2つの寸法が、各々、少なくとも約35cmである単結晶シリコンの成型本体を形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成型シリコンの製造方法であって、 少なくともシリコンの融点まで加熱した1つ以上の側面と、少なくとも1つの冷却用の壁とを有するベッセルにおいて、少なくとも1つのシリコン・シード結晶と接触するように溶融シリコンを配置するステップと、 結晶化を制御するために前記溶融シリコンを冷却することによって、単結晶シリコンから成り、任意に各々約10cmの少なくとも2つの寸法を有する固体本体を形成するステップであって、該ステップは、少なくとも初期状態において前記少なくとも1つの冷却用の壁と平行となる前記溶融シリコンの縁端において固体-液体界面を形成するステップを含み、前記界面が、前記溶融シリコンと前記少なくとも1つの冷却用の壁との間の距離が増大する方向に移動するように前記冷却中に制御される、ステップと、 を備えている、方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
C30B29/06 501Z ,  H01L31/04 H
Fターム (19件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CD04 ,  4G077EA01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG15 ,  4G077EG25 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077MB08 ,  4G077NC01 ,  4G077NF08 ,  5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051CB19 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA25 ,  5F051HA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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