特許
J-GLOBAL ID：200903078079415760
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219593
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 書き込み速度を低下させることなく、書き込み後のしきい値電圧の狭帯化を実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 書き込み時に、選択ワード線および選択ビット線にそれぞれ所定の書き込みパルス信号を印加し、書き込み後ベリファイを行い、センスアンプによりメモリセルのしきい値電圧を検出する。メモリセルのしきい値電圧が目標VTHの近傍に達するまで書き込みおよびベリファイを繰り返し行い、書き込み回数に従ってパルス信号の電圧の絶対値を増加させて上記選択ワード線に印加し、メモリセルのしきい値電圧が目標VTHの近傍に達した後、ビット線に印加する書き込みパルス信号の幅を初期幅より狭い幅に設定して、センスアンプの感度を高く設定する。選択メモリセルのしきい値電圧が目標VTHに達するまで当該狭まったパルス信号による書き込みおよび書き込み後のベリファイを繰り返して行う。
請求項（抜粋）：
周囲と電気的に絶縁されている電荷蓄積層に対して電荷の授受を行うことによりしきい値電圧を制御し、当該しきい値電圧に応じたデータを保持するメモリセルを有し、書き込み時に上記メモリセルの制御ゲートに所定の幅を有するパルス信号を印加し、当該パルス信号を印加した後上記メモリセルのしきい値電圧を判定するベリファイが行われる不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に上記メモリセルが接続されているビット線に第1の幅を有するパルス信号を印加し、上記制御ゲートへ印加される上記パルス信号の電圧の絶対値を印加回数に従って増加させ、上記メモリセルのしきい値電圧が上記所望値の近傍に達した後、上記メモリセルが接続される上記ビット線に印加される上記パルス信号の幅を上記第1の幅より狭い第2の幅に設定して、上記しきい値電圧が上記所望値に達するまで上記第2の幅を有するパルス信号を上記ビット線に印加する制御手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 634 F
, G11C 17/00 641
