特許
J-GLOBAL ID：200903078079817117
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283519
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、しかも膜中の含水率の小さい優れた膜質のものを形成する。【構成】 有機シランを原料ガスとして用い、酸化性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを供給する。かくして成膜の初期にエタノールやメタノールを生成させることができ、下地依存性を効果的に改善することができる。
請求項（抜粋）：
有機シランを原料ガスとして用い、酸化性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを供給して、上記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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