特許
J-GLOBAL ID：200903078080960969
LOCOSオフセットドレインの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301764
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029313
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置製造プロセスのバラツキがあっても耐圧を保証し得るLOCOSオフセットドレインの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板にエッチングにより凹部20を形成し、該凹部へ不純物を導入、拡散してオフセット拡散領域13を形成し、次に該凹部20を埋めるようにLOCOS酸化層15を形成し、次にドレイン領域12を形成する。
請求項（抜粋）：
1導電型のシリコン基板上に酸化膜を形成した後、該酸化膜上の所定位置に少なくとも2つの窒化膜パターンを形成する工程と、前記窒化膜パターンをマスクとして前記酸化膜をエッチングし、且つ前記シリコン基板の(111)面に沿うエッチングを含むエッチングを行って前記シリコン基板に凹部を形成する工程と、前記シリコン基板の凹部上方から該シリコン基板内へ反対導電型の不純物を導入し、熱処理することによって該反対導電型のオフセット拡散領域を形成する工程と、前記窒化膜を除去した後、前記凹部にLOCOS酸化層を形成する工程と、前記LOCOS配化層の一方の側面上を含む位置にゲート電極を形成する工程、及び前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化膜を通して前記反対導電型の不純物を導入し、熱処理することによって前記LOCOS酸化層の側面側に該反対導電型のドレイン拡散領域を形成する工程、を含むことを特徴とするLOCOSオフセットドレインの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/76
, H01L 21/316
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/94 A
