特許

J-GLOBAL ID：200903078081690000

半導体レーザ

発明者： 東條 剛 ,  内田 史朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009386
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 透光性基板を用いた半導体レーザにおいて自然放出光の漏洩を抑制すること。【解決手段】 本発明の半導体レーザは、透光性基板であるサファイア基板101の一方面に形成されるn型クラッド層104、活性層105、p型クラッド層107を備えた発光機能層と、発光機能層側に設けられる極性の相異なるp側電極112、n側電極113と、サファイア基板101の他方面に形成される光漏洩防止膜R1とを備えるものである。

請求項（抜粋）：

透光性基板の一方面に形成されるクラッド層、活性層を備えた発光機能層と、前記発光機能層側に設けられる極性の相異なる2つの電極と、前記透光性基板の他方面に形成される光漏洩防止膜とを備えることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA30