特許

J-GLOBAL ID：200903078085726409

半導体基板の製造方法

発明者： 夏目 嘉徳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227759
公開番号（公開出願番号）：特開平9-070740
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】 位置合わせ・結晶方位識別用のマークを半導体基板に正確に形成すること。【構成】 直径研削で円柱状にしたインゴット10に二本の直線11、12を機械的に形成し、一定の厚さに切り出した後、外周の面取り(ベベル)を行い、半導体基板13にエッチング処理し、基板13の表面を鏡面研磨する。続いて、側面にある2本の直線11、12を認識し、これを基準に半導体基板13表面の所定位置に、レーザーマーカーで刻印し、位置合わせ用・結晶方位の識別用マーク15を形成する。半導体基板13の側面を鏡面ベベルし、側面に残っていた二本の直線11、12を削り取り半導体基板13を真円にし、仕上げに半導体基板13の上面を鏡面研磨する。このように形成することにより、位置合わせ用・結晶方位識別用のマークを半導体基板に正確に形成し、且つレーザーマーカーで刻印する工程により結晶欠陥が残存することを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体材料からなるインゴットを所定の半径を有する実質的な円柱形状に加工した後、その側面に、所定間隔を有し、互いに平行、且つ前記加工したインゴットの中心軸方向と平行である第一の直線及び第二の直線上に、第一の溝及び第二の溝を形成する工程と、前記加工したインゴットを、前記第一及び第二の直線を基準に位置制御を行い、一定の所定厚さに切断し薄い円柱状の半導体基板を形成する工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

B24B 1/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

B24B 1/00 A ,  H01L 21/02 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 311 B ,  H01L 21/68 F